Samsung a anuntat productia de memorie RAM DDR3 clasa 20nm la noua sa fabrica

HED
22 septembrie 2011

Marele sud-coreean Samsung Electronics are doua motive pentru a sarbatori zilele acestea, pentru ca si-a inceput operatiunile noua sa fabrica de memorii Line-16 (care pretinde a fi cea mai mare din lume) si dat spre productia in masa a primului chip DDR3 DRAM clasa-20nm.

Clasa 20nm DDR3 de la Samsung sustine ca va imbunatati productivitatea cu 50% si reducerea consumului de energie cu 40% fata de clasa 30nm. Pentru inceput Samsung merge pana la 2Gb, in ceea ce priveste densitatea cu 2xnm DRAM DDR3, dar pâna la sfârsitul acestui an intentioneaza sa ajunga la 4 Gb, astfel incât sa permita o mai mare capacitate a modulelor de memorie (16GB si 32GB).

In ceea ce priveste localizarea fabricii Line-16, aceasta este situat la Samsung Nano City Complex in Hwaseong, provincia Gyeonggi, se intinde pe 12 cladiri si are aproximativ 198,000 de metri patrati spatiu de lucru. Aceasta fabrica reprezinta o investitie de 10 miliarde dolari care vizeaza consolidarea conducerii Samsung spre top pe piata de memorii.

About - hedmasster: Web developer , Web designer , Games reviewer . Pasionat de IT & Gaming , owner www.blasterzone.ro & www.graphicpedia.ro. Dacă aveţi nelămuriri în privinţa unor articole/tutoriale puteţi lăsa un comentariu şi în cel mai scurt timp vă voi răspunde.

Lasa un comentariu

XHTML: Poti folosi urmatoarele taguri: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>