Intel si Micron fac echipa !
Intel si Micron au facut echipa pentru viitorul SSD de 128GB de memorie NAND
Marti Intel si Micron au introdus o „premiera mondiala” prin anuntarea unui nou dispozitiv cu memorie monolita de 20 nm NAND si o capacitate de 128 gigabit(Gb), care dubleaza capacitatea de stocare si de performanta ale duo-ului actual de 20-nm NAND si 64 GB. El a fost creat prin intermediul dezvoltarii IM Flash Technologies (IMFT), cu intentia de a inghesui o capacitate de stocare cat mai mare în dispozitive mici mici cum ar fi smartphone-urile, tabletele, drive-urile USB si SSD-urile.
Potrivit raportului, noul dispozitiv are capacitatea de a stoca un terabit de date. Pentru consumatori, un dispozitiv de 128 Gb se traduce ca fiinf 16 GB de stocare. Inghesuind opt dintre acestea într-un singur pachet si aveti un cip de memorie cu o capacitate de stocare de 128 GB.
Noul dispozitiv este, de asemenea, raportat primul care a folosit o structura de celule plane care „rupe constrângerile de scalare a standardului NAND”, prin integrarea primei Hi-K/metal in productia NAND. De asemenea intruneste si caracteristicile de mare viteza al ONFI(Open NAND Flash Interface) 3.0 pentru a atinge viteze de 333 megatransfers pe secunda (MT/s).
„Deoarece dispozitivele portabile devin tot mai mici si elegante si cerintele cresc, clientii nostri se uiti la Micron pentru tehnologii inovative de stocare si solutii noi de sistem care fac fata acestor provocari”, a spus Glen Hawk, vicepresedinte al Micron NAND Solutions Group. „Colaborarea noastra cu Intel continua sa furnizeze tehnologii de vârf NAND si considera ca, construirea acestora este critica.”
În plus fata de dispozitivul de 128 Gb NAND, au mai spus ca duo-ul lor de 64 Gb 20-nm NAND a intrat în productia de masa, si ar trebui sa permita o tranzitie rapida la dispozitivul de 128 GB în 2012. Mostre ale dispozitivului de 128 GB sunt de asteptat sa apara în ianuarie 2012, urmata de productia de serie în prima jumatate a anului 2012.
